等离子刻蚀机-苏州艾普特

低压真空等离子设备大气常压等离子设备微波等离子清洗机 LED封装等离子清洗机等离子去胶机等离子刻蚀机

胶粘剂

环氧树脂胶有机硅胶聚氨酯胶丙烯酸胶改性硅烷

导热材料

导热垫片导热凝胶导热硅脂导热绝缘片导热相变导热吸波材料电磁屏蔽胶导热灌封胶

润滑剂

液体润滑剂半固体润滑脂干膜润滑剂

清洗剂

水基型清洗剂

脱模剂

橡胶复合材料聚氨酯内脱模剂金属压铸新行业

纳米涂层

有机防护薄膜有机疏水薄膜功能性无机薄膜功能性烯碳薄膜

点胶设备

单组份点胶系统双组份计量混合系统

产品详情

核心定位：真空（10⁻³~10¹ Pa）环境下，通过射频 / 微波 / ICP 激发工艺气体（CF₄、O₂、Ar 等）产生等离子体，对半导体、金属、陶瓷等材料进行纳米级精准刻蚀的核心设备，是微纳加工与芯片制造的关键装备
核心原理：物理溅射（高能离子轰击材料表面）+ 化学刻蚀（活性自由基与材料反应生成挥发性物质），实现定向、高精度材料去除
关键构成：真空系统 + 等离子发生系统（射频 / 微波 / ICP）+ 气体供给系统（多气体配比）+ 反应腔体 + 高精度控制系统（参数误差≤0.1%）
典型应用：半导体芯片图形转移（光刻后刻蚀）、MEMS 器件结构成型、显示面板像素制备、光伏电池纹理刻蚀、先进封装 TSV 通孔加工
核心优势：纳米级刻蚀精度（线宽≤10nm）、高均匀性（误差 < 5%）、各向异性（垂直刻蚀比≥20:1）、干法环保（无化学废液）、适配复杂微纳结构
设备类型：
- ICP 型（电感耦合）：等离子体密度高，刻蚀速率快，主流用于半导体高端制程
- RIE 型（反应离子刻蚀）：各向异性优，适配精细图形刻蚀
- 微波型：低损伤、高均匀性，适配电敏感器件刻蚀
核心区别（vs 同类设备）：侧重 “材料精准去除与结构成型”，而非清洗 / 去胶，刻蚀深度与图形精度可控，是芯片制造中图形转移的核心环节