RIE刻蚀机
产品描述
设备采用平板电容放电形式，将通入刻蚀室的工艺气体分子解离产生等离子体。等离子体中的部分活性基团与未被掩蔽的被刻蚀材料表面发生化学反应，并在射频自偏压作用下，等离子体中的正离子对被刻蚀材料表面进行物理轰击，达到对样品进行化学物理相结合刻蚀的目的。
产品特点

• 工艺稳定性强、刻蚀均匀性良好，工艺参数（气体配比、功率、偏压等）调节灵活
  

• 机身设计紧凑，操作与维护便捷，适配中等精度刻蚀需求

应用领域

• 半导体领域：普通半导体器件、集成电路外围结构刻蚀；
  

• 薄膜与精密加工：金属、介质层等薄膜材料刻蚀，MEMS（微机电系统）基础结构加工；
  

• 新能源领域：光伏电池电极刻蚀；
  

• 其他场景：各类对刻蚀精度要求中等的微电子、光电子器件加工。
  

  
  

ICP刻蚀机

产品描述
设备利用射频天线，通过感应耦合方式在放电腔中产生高密度等离子体，刻蚀工作台同时引入射频偏压，在射频偏压作用下，等离子体垂直向下对未被掩蔽的被刻蚀材料表面进行物理轰击，并与材料表面发生化学反应，达到对样品进行化学物理相结合刻蚀的目的。
产品特点

• 等离子体密度高、刻蚀速率快，方向性强，能精准控制刻蚀深度与轮廓，有效减少材料损伤
  

• 聚焦高精度、高要求的刻蚀需求，工艺可控性更优
  

应用领域

• 高端芯片制造：高端半导体芯片的晶体管栅极、互联结构刻蚀；
  

• 高深宽比加工：MEMS 传感器、滤波器等高深宽比微结构加工；
  

• 显示面板领域：OLED/LCD 显示面板的像素定义、电极刻蚀；
  

• 精密制造领域：精密陶瓷、聚合物等材料的微纳加工，以及 LED、BGA 等器件的高精度刻蚀场景。
  

  
  

  产品参数